LEEG立格SMP131-DSD單晶硅小差壓變送器


緊湊型壓力變送器用于氣動(dòng)液壓設(shè)備，其壓力傳感器采用了全自動(dòng)線性和溫度補(bǔ)償技術(shù)，確保大批量制造的生產(chǎn)效率和品質(zhì)，全焊接工藝電氣保護(hù)殼以及獨(dú)立透氣腔體結(jié)構(gòu)，確保產(chǎn)品的長期可靠性，信號(hào)變送器模塊可通過簡單觸連進(jìn)行標(biāo)定或參數(shù)設(shè)置。

LEEG單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)械隔離和隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活能與耐瞬變電壓護(hù)的能力，可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測量應(yīng)用。

主要參數(shù)

壓力類型：差壓

量程范圍：1kPa-3MPa

輸出號(hào)：4-20mA，4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485

參考精度：±0.5量程上限

技術(shù)參數(shù)

標(biāo)稱量程：40kPa，250kPa，1MPa，3MPa

典型精度：±0.1量程上限

年穩(wěn)定：±0.1%量程上限/年

環(huán)境溫度影響：在 - 20-80℃范圍內(nèi)總影響量是±0.2%量程上限/10kΩ

抗振動(dòng)性：10g RMS（25...2000Hz）符合IEC60068-2-6標(biāo)準(zhǔn)

抗沖擊性：500g/1ms符合ICE60068-2-27

使用壽命：**載荷循環(huán)1000萬次

絕緣電阻：≥500MΩ@參考條件下，100VDC

負(fù)載影響：零點(diǎn)和量程的變化不超過0.05%量程上限/k

總阻尼時(shí)間常數(shù)：等于電子線路件和傳感膜盒阻尼時(shí)間常數(shù)之和

電子線路件阻尼時(shí)間：0-100S范圍可調(diào)（帶HART協(xié)議）

斷電后上電啟動(dòng)時(shí)間：≤3S

數(shù)據(jù)恢復(fù)至正常使用時(shí)間：≤4S（帶HART輸出時(shí)間≤31S）

凈重：約4kg

使用環(huán)境溫度范圍：-40-85℃

儲(chǔ)存環(huán)境溫度范圍：-40-110℃

使用環(huán)境溫度范圍：0-95RH

護(hù)等級(jí)：IP65

標(biāo)準(zhǔn)型/隔型：10.5-55VDC

HART通訊協(xié)議：16.5-55VDC，通訊時(shí)負(fù)載電阻250Ω

RS485：12-32VDC

負(fù)載電阻：0-2119Ω為工作狀態(tài)，250-600Ω HART通訊

傳輸距離：<1000米

功耗：≤500mV@24VDC，20.8mA

隔離膜片材質(zhì)：316L不銹鋼、哈氏合金C

隔離充灌液：常溫硅油，適用直接接觸溫度范圍- 45-250℃

惰性填充液 ，適用直接接觸溫度范圍- 45-160℃

信號(hào)輸出方式：4-20mA二線制，適用供電電壓10-30VDC

4-20mA+HART二線制，適用供電電壓16.5-55VDC

Modbus-RTU/RS485，四線制適用供電電壓5-32VDC

0.5-4.5VDC三線制，適用供電電壓6-15VDC

0.5-4.5VDC三線制，適用供電電壓5VDC

4-20mA二線制，本安型，適用供電電壓12-28VDC