產品優勢：
  1、具有高容量（1930mah/g）、高循環等特點。
  2、非晶質結構。充放電時不會產生因膨脹收縮而引起應力。
  3、采用化學氣相沉淀（cvd）法在sio粒子周圍形成碳涂層，有效解決了硅體積膨脹的問題。
  4、可適用于-30度至120度的溫度范圍。可高頻率充放電，30c（2分鐘充電、2分鐘放電）以上的充放電速度sio仍然穩定（不被破壞）。