|
|
|||||||||||||||||
隨著新能源汽車半導(dǎo)體功率電子國(guó)產(chǎn)化的發(fā)展，廣電計(jì)量引進(jìn)國(guó)際的測(cè)試技術(shù)，基于LV/AQG324認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供功率模塊電學(xué)性能檢測(cè)，材料、器件與系統(tǒng)的可靠性測(cè)試以及失效分析。技術(shù)革新帶來(lái)了驗(yàn)證技術(shù)新的挑戰(zhàn)，廣電計(jì)量以LV/AQG324認(rèn)證試驗(yàn)為基礎(chǔ)，積極布局第三代半導(dǎo)體功率模塊的可靠性業(yè)務(wù)領(lǐng)域，助力器件國(guó)產(chǎn)化、高新化發(fā)展。
測(cè)試周期：
2-3個(gè)月，提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試等服務(wù)
服務(wù)內(nèi)容：
廣電計(jì)量失效分析實(shí)驗(yàn)室功率器件技術(shù)團(tuán)隊(duì)，擁有豐富的功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)，器件可靠性測(cè)試，以及可靠性測(cè)試設(shè)備設(shè)計(jì)制造的經(jīng)驗(yàn)，可為您提供電學(xué)參數(shù)檢測(cè)，可靠性測(cè)試，失效分析及定制化服務(wù)。
產(chǎn)品范圍：
適用于MOSFET，Diode，IGBT，第三代半導(dǎo)體器件等元件構(gòu)成的功率模塊。
測(cè)試項(xiàng)目：
|
序號(hào) |
測(cè)試項(xiàng)目 |
縮寫 |
樣品數(shù)/批 |
測(cè)試方法 |
|
|
1 |
Thermal shock test |
TST |
6 |
IEC 60749-25 |
|
|
2 |
Vibration |
V |
6 |
DIN EN 60068-2-6 |
|
|
3 |
Mechanical shock |
MS |
6 |
DIN EN 60068-2-27 |
|
|
4 |
Power cycling |
PCsec |
6 |
IEC 60749-34 |
|
|
5 |
Power cycle |
PCmin |
6 |
IEC 60749-34 |
|
|
6 |
High-temperature storage |
HTS |
6 |
IEC 60749-6 |
|
|
7 |
Low-temperature storage |
LTS |
6 |
JEDEC JESD-22 A119 |
|
|
8 |
High-temperature reverse bias |
HTRB |
6 |
IEC 60747-9 |
|
|
9 |
High-temperature gate bias |
HTGB |
6 |
IEC 60747-9 |
|
|
10 |
High-humidity, high-temperature reverse bias |
H3TRB |
6 |
IEC 60749-5 |
|
|
11 |
Determining parasitic stray inductance |
Lp |
6 |
IEC 60747-15 |
|
|
12 |
Determining thermal resistance |
Rth |
6 |
DIN EN 60747-15 |
|
|
13 |
Determining short-circuit capability |
/ |
6 |
/ |
|
|
14 |
Insulation test |
/ |
6 |
/ |
|
|
15 |
Determining mechanical data |
/ |
6 |
/ |
|
